maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / BCR183SE6327BTSA1
Référence fabricant | BCR183SE6327BTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BCR183SE6327BTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCR183SE6327BTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT363-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR183SE6327BTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCR183SE6327BTSA1-FT |
PEMD30,115
Nexperia USA Inc.
PEMD30,315
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PEMD48,115
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PEMD6,115
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PEMD9,315
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PEMH1,115
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PEMH11,315
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PEMH13,315
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PEMH14,115
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PEMH16,115
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LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P600-1FG484
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M1AFS250-FG256
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EP4CE75F23C7
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5SEE9H40C4N
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XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
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Intel
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Intel
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