maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DD600S65K3NOSA1
Référence fabricant | DD600S65K3NOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-DD600S65K3NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DD600S65K3NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 6500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.5V @ 600A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 900A @ 3600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | A-IHV130-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DD600S65K3NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DD600S65K3NOSA1-FT |
CDBD2020-G
Comchip Technology
CDBD2020-HF
Comchip Technology
CDBD2050-G
Comchip Technology
CDBD2050-HF
Comchip Technology
CDBD2080-G
Comchip Technology
CDBD2080-HF
Comchip Technology
CDD10810
Powerex Inc.
CDD11210
Powerex Inc.
CDST6-4448TI-G
Comchip Technology
CMLD2004G BK
Central Semiconductor Corp
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel