maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / CDBD2080-G
Référence fabricant | CDBD2080-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBD2080-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBD2080-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD2080-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBD2080-G-FT |
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
201CMQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
203CNQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DMQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DMQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DNQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
400DMQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
403DMQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
5962-1621001QXC
Microsemi Corporation
5962-1621001VXC
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
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XC3S1500-5FGG320C
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
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A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
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EP3C55F780I7N
Intel