maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / CDBD2080-G
Référence fabricant | CDBD2080-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBD2080-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBD2080-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD2080-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBD2080-G-FT |
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
201CMQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
203CNQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DMQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DMQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DNQ100
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5962-1621001QXC
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5962-1621001VXC
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