maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DD1200S33KL2CB5NOSA1
Référence fabricant | DD1200S33KL2CB5NOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-DD1200S33KL2CB5NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 3300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 1200A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.5V @ 1200A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1700A @ 1800V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Block, 4 Lead |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DD1200S33KL2CB5NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DD1200S33KL2CB5NOSA1-FT |
BYV430W-300PQ
WeEn Semiconductors
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