maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYV430W-300PQ
Référence fabricant | BYV430W-300PQ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BYV430W-300PQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV430W-300PQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 300V |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV430W-300PQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV430W-300PQ-FT |
MUR20040CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20040CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20060CT
GeneSiC Semiconductor
MUR20060CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR30005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR30005CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR30010CT
GeneSiC Semiconductor
MUR30010CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR30020CT
GeneSiC Semiconductor
MUR30020CTR
GeneSiC Semiconductor
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel