maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MUR20060CTR
Référence fabricant | MUR20060CTR |
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Numéro de pièce future | FT-MUR20060CTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUR20060CTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 110ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Twin Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Twin Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR20060CTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR20060CTR-FT |
DD600N16KHPSA3
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A54SX16A-2TQ144I
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Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C2N
Intel
10M40SCE144A7G
Intel
XC4044XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel