maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DD1200S12H4
Référence fabricant | DD1200S12H4 |
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Numéro de pièce future | FT-DD1200S12H4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DD1200S12H4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.35V @ 1200A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 475A @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | AG-IHMB130-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DD1200S12H4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DD1200S12H4-FT |
BYV430J-600PQ
WeEn Semiconductors
BYV430K-300PQ
WeEn Semiconductors
BYV430W-300PQ
WeEn Semiconductors
CC240610
Powerex Inc.
CC240650
Powerex Inc.
CC2406500N
Powerex Inc.
CC241210
Powerex Inc.
CC241250
Powerex Inc.
CD240602
Powerex Inc.
CD240650
Powerex Inc.
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
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M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
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10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel