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Infineon Technologies DD1200S12H4HOSA1

Name: DD1200S12H4HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DD1200S12H4HOSA1
Price: 519.552 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (598 reviews)

Numéro de pièce MFG: DD1200S12H4HOSA1

quantité disponible: 25690 Pièces

Prix de référence: USD 519.552

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: - MOD DIODE 1200A IHMB130-2

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Modules

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DD1200S12H4HOSA1.pdf

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DD1200S12H4HOSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	DD1200S12H4HOSA1
Numéro de pièce future	FT-DD1200S12H4HOSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DD1200S12H4HOSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	-
Configuration	2 Independent
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	1200A
Puissance - Max	1200000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 1200A
Courant - Coupure Collecteur (Max)	-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	-
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	Module
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DD1200S12H4HOSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DD1200S12H4HOSA1-FT

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