maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DD1000S33HE3BPSA1
Référence fabricant | DD1000S33HE3BPSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-DD1000S33HE3BPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DD1000S33HE3BPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 3300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.85V @ 1000A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1000A @ 1800V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | AG-IHVB130-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DD1000S33HE3BPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DD1000S33HE3BPSA1-FT |
BYT60P-1000
STMicroelectronics
BYT60P-400
STMicroelectronics
BYV415J-600PQ
WeEn Semiconductors
BYV430J-600PQ
WeEn Semiconductors
BYV430K-300PQ
WeEn Semiconductors
BYV430W-300PQ
WeEn Semiconductors
CC240610
Powerex Inc.
CC240650
Powerex Inc.
CC2406500N
Powerex Inc.
CC241210
Powerex Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
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EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel