Référence fabricant | DB107-G |
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Numéro de pièce future | FT-DB107-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB107-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB107-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB107-G-FT |
DF01M
Diodes Incorporated
DF15005M
Diodes Incorporated
DF1501M
Diodes Incorporated
DF1502M
Diodes Incorporated
DF1504M
Diodes Incorporated
DF1506M
Diodes Incorporated
DF1508M
Diodes Incorporated
DF1510M
Diodes Incorporated
T483A
Sensata-Crydom
M5060TB1400
Sensata-Crydom
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1AGX50CF484C6
Intel
10CL006ZU256I8G
Intel
5SGSMD6K3F40C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
10AX066H3F34I3SGES
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel