Référence fabricant | DB102TB |
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Numéro de pièce future | FT-DB102TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB102TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB-M |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB102TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB102TB-FT |
GBJ2004TB
SMC Diode Solutions
GBJ2008TB
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GBJ25005TB
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GBJ2501TB
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XC6SLX150T-N3CSG484I
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XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
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EP1K50QC208-3
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EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel