Référence fabricant | DB102TB |
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Numéro de pièce future | FT-DB102TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB102TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB-M |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB102TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB102TB-FT |
GBJ2004TB
SMC Diode Solutions
GBJ2008TB
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GBJ25005TB
SMC Diode Solutions
GBJ2501TB
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GBJ2502TB
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GBJ2504TB
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GBJ2508TB
SMC Diode Solutions
GBJ35005TB
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GBJ3501TB
SMC Diode Solutions
GBJ3502TB
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XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel