Référence fabricant | DB102-G |
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Numéro de pièce future | FT-DB102-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB102-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB102-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB102-G-FT |
DF1501M
Diodes Incorporated
DF1502M
Diodes Incorporated
DF1504M
Diodes Incorporated
DF1506M
Diodes Incorporated
DF1508M
Diodes Incorporated
DF1510M
Diodes Incorporated
T483A
Sensata-Crydom
M5060TB1400
Sensata-Crydom
M50100SB1200
Sensata-Crydom
M50100SB1600
Sensata-Crydom
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQ100
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M1A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF484C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3LN
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5SGXEB6R2F40C3
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LFE2M50E-5F672C
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LFE3-70EA-7FN672I
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5AGXFA7H4F35C5N
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EPF10K30AQI240-3N
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