maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DA6X103T0R
Référence fabricant | DA6X103T0R |
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Numéro de pièce future | FT-DA6X103T0R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DA6X103T0R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 10ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini6-G4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DA6X103T0R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DA6X103T0R-FT |
MBR10150CT-G1
Diodes Incorporated
LQA10T150C
Power Integrations
LQA12T300C
Power Integrations
LQA32T300C
Power Integrations
LQA40T150C
Power Integrations
LXA08T600C
Power Integrations
LXA12T600C
Power Integrations
APT10SCD65KCT
Microsemi Corporation
APT15S20KCTG
Microsemi Corporation
APT8DQ60KCTG
Microsemi Corporation
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel