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Référence fabricant | MBR10150CT-G1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR10150CT-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR10150CT-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 890mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10150CT-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10150CT-G1-FT |
SBR40U60CT
Diodes Incorporated
SBR20100CT
Diodes Incorporated
SBR40U120CT
Diodes Incorporated
SBR20E120CT
Diodes Incorporated
SBR3040CT
Diodes Incorporated
SBR4045CT
Diodes Incorporated
SDT30A120CT
Diodes Incorporated
SDT40120CT
Diodes Incorporated
SDT30A100CT
Diodes Incorporated
SBR20B100CT
Diodes Incorporated
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel