maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / D4201N20TXPSA1
Référence fabricant | D4201N20TXPSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-D4201N20TXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
D4201N20TXPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 2000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6010A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4000A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200mA @ 2000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AE |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 160°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D4201N20TXPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | D4201N20TXPSA1-FT |
BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation