maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / D3501N42TXPSA1
Référence fabricant | D3501N42TXPSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-D3501N42TXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
D3501N42TXPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 4200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4870A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.27V @ 4000A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100mA @ 4200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AE |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 160°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D3501N42TXPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | D3501N42TXPSA1-FT |
BYG10DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel