maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / D3501N42TVFXPSA1
Référence fabricant | D3501N42TVFXPSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-D3501N42TVFXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
D3501N42TVFXPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 4200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4870A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100mA @ 4200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AE |
Package d'appareils du fournisseur | BG-D12035K-1 |
Température de fonctionnement - Jonction | 160°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D3501N42TVFXPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | D3501N42TVFXPSA1-FT |
BYG10DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel