maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / CY7C1420BV18-200BZCT
Référence fabricant | CY7C1420BV18-200BZCT |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1420BV18-200BZCT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1420BV18-200BZCT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II |
Taille mémoire | 36Mb (1M x 36) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (15x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1420BV18-200BZCT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1420BV18-200BZCT-FT |
CY7C1625KV18-333BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1643KV18-400BZC
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CY7C1648KV18-400BZXC
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CY7C1668KV18-450BZXC
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CY7C2670KV18-550BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY14B116M-BZ45XIT
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Cypress Semiconductor Corp
XCS10XL-4VQG100I
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XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
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EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel