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Référence fabricant | CY7C2670KV18-550BZXI |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C2670KV18-550BZXI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C2670KV18-550BZXI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Taille mémoire | 144Mb (4M x 36) |
Fréquence d'horloge | 550MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (15x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2670KV18-550BZXI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C2670KV18-550BZXI-FT |
S29GL032N90DFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI030
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFVR23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11DFIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11DFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI022
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI033
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI040
Cypress Semiconductor Corp
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel