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Référence fabricant | CY7C1150KV18-400BZXI |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1150KV18-400BZXI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1150KV18-400BZXI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1150KV18-400BZXI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1150KV18-400BZXI-FT |
S34ML04G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFB003
Cypress Semiconductor Corp
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Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFI503
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Cypress Semiconductor Corp
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Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFV003
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A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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EP3SE50F780C4
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