maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S34ML04G200TFV000
Référence fabricant | S34ML04G200TFV000 |
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Numéro de pièce future | FT-S34ML04G200TFV000 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ML-2 |
S34ML04G200TFV000 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34ML04G200TFV000 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S34ML04G200TFV000-FT |
S29AL016J70TFA013
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J70TFA023
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S29AL016J70TFM020
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S29AS008J70TFI033
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S29AS008J70TFI043
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S29AS016J70TFI030
Cypress Semiconductor Corp
S29AS016J70TFI040
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90TAI030
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S29GL032N90TFA043
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XC5VLX50-1FFG676I
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LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
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EPF10K30AQC240-3
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