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Référence fabricant | CY7C1051H30-10BV1XE |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1051H30-10BV1XE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1051H30-10BV1XE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 8Mb (512K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.2V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-VFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1051H30-10BV1XE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1051H30-10BV1XE-FT |
DS1225AB-85+
Maxim Integrated
DS1225AD-70+
Maxim Integrated
DS1225Y-200IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-70+
Maxim Integrated
DS1225AB-200IND+
Maxim Integrated
DS1225Y-150+
Maxim Integrated
DS1225AD-200+
Maxim Integrated
DS1225AD-150IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-120IND+
Maxim Integrated
DS1225AD-85+
Maxim Integrated
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel