maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / CY62167G30-55BVXE
Référence fabricant | CY62167G30-55BVXE |
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Numéro de pièce future | FT-CY62167G30-55BVXE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MoBL® |
CY62167G30-55BVXE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.2V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-VFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62167G30-55BVXE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY62167G30-55BVXE-FT |
DS1230W-150+
Maxim Integrated
DS1230Y-85+
Maxim Integrated
DS1225AB-85+
Maxim Integrated
DS1225AD-70+
Maxim Integrated
DS1225Y-200IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-70+
Maxim Integrated
DS1225AB-200IND+
Maxim Integrated
DS1225Y-150+
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DS1225AD-200+
Maxim Integrated
DS1225AD-150IND+
Maxim Integrated
M2GL025-FCSG325I
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M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
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Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
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LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
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