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Référence fabricant | CW201212-R56J |
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Numéro de pièce future | FT-CW201212-R56J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CW201212 |
CW201212-R56J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 560nH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 230mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.9 Ohm |
Q @ Freq | 23 @ 50MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 340MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 50MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.059" (1.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW201212-R56J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CW201212-R56J-FT |
CW252016-1R0J
Bourns Inc.
CW252016-R15J
Bourns Inc.
CW252016-R27J
Bourns Inc.
CW252016-10NG
Bourns Inc.
CW252016-10NJ
Bourns Inc.
CW252016-12NK
Bourns Inc.
CW252016-15NG
Bourns Inc.
CW252016-15NK
Bourns Inc.
CW252016-18NG
Bourns Inc.
CW252016-18NJ
Bourns Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel