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Référence fabricant | CW160808-R10G |
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Numéro de pièce future | FT-CW160808-R10G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CW160808 |
CW160808-R10G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Alumina |
Inductance | 100nH |
Tolérance | ±2% |
Note actuelle | 400mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 710 mOhm |
Q @ Freq | 34 @ 250MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 1.4GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 150MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.065" L x 0.041" W (1.65mm x 1.05mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW160808-R10G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CW160808-R10G-FT |
CW201212-82NJ
Bourns Inc.
CW201212-8N2J
Bourns Inc.
CW201212-R12G
Bourns Inc.
CW201212-R12J
Bourns Inc.
CW201212-R18J
Bourns Inc.
CW201212-R22G
Bourns Inc.
CW201212-R27J
Bourns Inc.
CW201212-R39G
Bourns Inc.
CW201212-R39J
Bourns Inc.
CW201212-R56J
Bourns Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation