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Référence fabricant | CW160808-1N8M |
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Numéro de pièce future | FT-CW160808-1N8M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CW160808 |
CW160808-1N8M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Alumina |
Inductance | 1.8nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 700mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 40 mOhm |
Q @ Freq | 16 @ 250MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 6GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 250MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.065" L x 0.041" W (1.65mm x 1.05mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW160808-1N8M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CW160808-1N8M-FT |
CW201212-R22J
Bourns Inc.
CW201212-27NJ
Bourns Inc.
CW201212-15NJ
Bourns Inc.
CW201212-22NJ
Bourns Inc.
CW201212-2N2J
Bourns Inc.
CW201212-39NJ
Bourns Inc.
CW201212-R15J
Bourns Inc.
CW201212-R33J
Bourns Inc.
CW201212-10NJ
Bourns Inc.
CW201212-12NJ
Bourns Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel