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Référence fabricant | CW201212-R33J |
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Numéro de pièce future | FT-CW201212-R33J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CW201212 |
CW201212-R33J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ceramic |
Inductance | 330nH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 200mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.65 Ohm |
Q @ Freq | 45 @ 250MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 800MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.059" (1.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW201212-R33J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CW201212-R33J-FT |
SDR0403-821KL
Bourns Inc.
SDR0403-1R8ML
Bourns Inc.
SDR0403-3R9ML
Bourns Inc.
SDR0403-120ML
Bourns Inc.
SDR0403-2R7ML
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SDR0403-820KL
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SDR0403-8R2ML
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SDR0403-121KL
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SDR0403-391KL
Bourns Inc.
SDR0403-561KL
Bourns Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel