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Référence fabricant | CV201210-R68K |
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Numéro de pièce future | FT-CV201210-R68K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CV201210 |
CV201210-R68K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 680nH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 150mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 800 mOhm Max |
Q @ Freq | 25 @ 25MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 105MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-R68K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CV201210-R68K-FT |
CW160808-6N8J
Bourns Inc.
CW160808-72NJ
Bourns Inc.
CW160808-82NG
Bourns Inc.
CW160808-82NJ
Bourns Inc.
CW160808-8N2J
Bourns Inc.
CW160808-R10G
Bourns Inc.
CW160808-R12G
Bourns Inc.
CW160808-R12J
Bourns Inc.
CW160808-R15G
Bourns Inc.
CW160808-R15J
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
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M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel