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Référence fabricant | CV201210-6R8K |
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Numéro de pièce future | FT-CV201210-6R8K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CV201210 |
CV201210-6R8K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 15mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 4MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 29MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 4MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-6R8K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CV201210-6R8K-FT |
CW160808-68NJ
Bourns Inc.
CW160808-6N8J
Bourns Inc.
CW160808-72NJ
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CW160808-82NG
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CW160808-82NJ
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CW160808-8N2J
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CW160808-R10G
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CW160808-R12G
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CW160808-R12J
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CW160808-R15G
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
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10AX090S4F45E3SG
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EP2SGX60DF780C3
Intel