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Texas Instruments CSD86330Q3D

Numéro de pièce MFG
CSD86330Q3D
quantité disponible
58820 Pièces
Prix de référence
USD 0.6944
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
NexFET™ MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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CSD86330Q3D Caractéristiques

Référence fabricant CSD86330Q3D
Numéro de pièce future FT-CSD86330Q3D
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries NexFET™
CSD86330Q3D Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 12.5V
Puissance - Max 6W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerLDFN
Package d'appareils du fournisseur 8-LSON (3.3x3.3)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD86330Q3D Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CSD86330Q3D-FT

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