maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CSD19533KCS
Référence fabricant | CSD19533KCS |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CSD19533KCS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD19533KCS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2670pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 188W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD19533KCS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD19533KCS-FT |
SSM6H19NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31V60W5,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20V60W5,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31V60X,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK50E06K3(S1SS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel