maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CSD18502KCS
Référence fabricant | CSD18502KCS |
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Numéro de pièce future | FT-CSD18502KCS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD18502KCS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4680pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 259W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD18502KCS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD18502KCS-FT |
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A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
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LFEC15E-4F484C
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5AGXBA3D6F31C6N
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EP1S40F1508C6N
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