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Texas Instruments CSD16411Q3

Numéro de pièce MFG
CSD16411Q3
quantité disponible
99680 Pièces
Prix de référence
USD 0.27724
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
NexFET™ MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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CSD16411Q3 Caractéristiques

Référence fabricant CSD16411Q3
Numéro de pièce future FT-CSD16411Q3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries NexFET™
CSD16411Q3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta), 56A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) +16V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 12.5V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-VSON (3.3x3.3)
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD16411Q3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CSD16411Q3-FT

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