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Référence fabricant | CSA2D-E3/I |
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Numéro de pièce future | FT-CSA2D-E3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CSA2D-E3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2.1µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSA2D-E3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSA2D-E3/I-FT |
BYG10K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900I
Xilinx Inc.
XCKU040-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG901C
Xilinx Inc.