maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYG10K-M3/TR
Référence fabricant | BYG10K-M3/TR |
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Numéro de pièce future | FT-BYG10K-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10K-M3/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10K-M3/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG10K-M3/TR-FT |
US1GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA210-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS13-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
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5SGXMA7N2F45C2
Intel
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