maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / US1GHE3_A/H
Référence fabricant | US1GHE3_A/H |
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Numéro de pièce future | FT-US1GHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
US1GHE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1GHE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | US1GHE3_A/H-FT |
S1AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFK-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFM-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation