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Référence fabricant | CPH6442-TL-E |
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Numéro de pièce future | FT-CPH6442-TL-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CPH6442-TL-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-CPH |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CPH6442-TL-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CPH6442-TL-E-FT |
CPH6350-TL-W
ON Semiconductor
DMN3026LVT-7
Diodes Incorporated
CPH6354-TL-W
ON Semiconductor
DMP6110SVT-7
Diodes Incorporated
DMP6110SVTQ-7
Diodes Incorporated
SQ3426EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
IRF5802TRPBF
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IRF5803TRPBF
Infineon Technologies
SQ3425EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
DMN2028UVT-13
Diodes Incorporated
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel