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Référence fabricant | CPH6354-TL-H |
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Numéro de pièce future | FT-CPH6354-TL-H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CPH6354-TL-H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-CPH |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CPH6354-TL-H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CPH6354-TL-H-FT |
CPH6350-TL-W
ON Semiconductor
DMN3026LVT-7
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CPH6354-TL-W
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