maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / CP191V-2N2222A-CT
Référence fabricant | CP191V-2N2222A-CT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CP191V-2N2222A-CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CP191V-2N2222A-CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | 300MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CP191V-2N2222A-CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CP191V-2N2222A-CT-FT |
BDW53-S
Bourns Inc.
BDW53A-S
Bourns Inc.
BDW53B-S
Bourns Inc.
BDW53C-S
Bourns Inc.
BDW53D-S
Bourns Inc.
BDW54A-S
Bourns Inc.
BDW54B-S
Bourns Inc.
BDW54C-S
Bourns Inc.
BDW54D-S
Bourns Inc.
BDW63A-S
Bourns Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EPF10K50SFC484-1X
Intel
5SGXMA9K2H40C2LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2LG
Intel
EPF8636ALC84-4
Intel
EP1S10F780I6N
Intel