maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / CP191V-2N2222A-CT
Référence fabricant | CP191V-2N2222A-CT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CP191V-2N2222A-CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CP191V-2N2222A-CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | 300MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CP191V-2N2222A-CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CP191V-2N2222A-CT-FT |
BDW53-S
Bourns Inc.
BDW53A-S
Bourns Inc.
BDW53B-S
Bourns Inc.
BDW53C-S
Bourns Inc.
BDW53D-S
Bourns Inc.
BDW54A-S
Bourns Inc.
BDW54B-S
Bourns Inc.
BDW54C-S
Bourns Inc.
BDW54D-S
Bourns Inc.
BDW63A-S
Bourns Inc.
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel