maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / CP191V-2N2222A-CT
Référence fabricant | CP191V-2N2222A-CT |
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Numéro de pièce future | FT-CP191V-2N2222A-CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CP191V-2N2222A-CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | 300MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CP191V-2N2222A-CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CP191V-2N2222A-CT-FT |
BDW53-S
Bourns Inc.
BDW53A-S
Bourns Inc.
BDW53B-S
Bourns Inc.
BDW53C-S
Bourns Inc.
BDW53D-S
Bourns Inc.
BDW54A-S
Bourns Inc.
BDW54B-S
Bourns Inc.
BDW54C-S
Bourns Inc.
BDW54D-S
Bourns Inc.
BDW63A-S
Bourns Inc.
LFXP2-5E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
Microsemi Corporation
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-QN84
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
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EPF10K50VBI356-4
Intel
EP20K160EQC240-3N
Intel
EPF10K30EQC208-2N
Intel