maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BDW63A-S
Référence fabricant | BDW63A-S |
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Numéro de pièce future | FT-BDW63A-S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BDW63A-S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 6A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 60mA, 6A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 2A, 3V |
Puissance - Max | 2W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDW63A-S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BDW63A-S-FT |
BCX56H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX56H6359XTMA1
Infineon Technologies
BCX6810H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX6816H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX6825H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX6910H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX6916H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX6925H6327XTSA1
Infineon Technologies
BD239-S
Bourns Inc.
BD239A-S
Bourns Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3L
Intel
XC7VX485T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290HF35C3
Intel