maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / CNY17F4TM
Référence fabricant | CNY17F4TM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CNY17F4TM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CNY17F4TM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 4170Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 160% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 320% @ 10mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 2µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | 4µs, 3.5µs (Max) |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 70V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.35V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17F4TM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CNY17F4TM-FT |
CNY17-3-W00E
Broadcom Limited
CNY17-3-W60E
Broadcom Limited
CNY17-4-W00E
Broadcom Limited
CNY17-4-W60E
Broadcom Limited
4N32TVM
ON Semiconductor
CNY17F3TVM
ON Semiconductor
H11AA1TVM
ON Semiconductor
4N25300W
ON Semiconductor
4N25TM
ON Semiconductor
4N25TVM
ON Semiconductor
XA3S250E-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4K3F40C4N
Intel
EP3SL340F1517C4N
Intel
XC6VHX255T-2FFG1155I
Xilinx Inc.
M1A3P250-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
10AX057K1F35I1SG
Intel