maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / CNY17F4TM
Référence fabricant | CNY17F4TM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CNY17F4TM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CNY17F4TM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 4170Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 160% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 320% @ 10mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 2µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | 4µs, 3.5µs (Max) |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 70V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.35V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17F4TM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CNY17F4TM-FT |
CNY17-3-W00E
Broadcom Limited
CNY17-3-W60E
Broadcom Limited
CNY17-4-W00E
Broadcom Limited
CNY17-4-W60E
Broadcom Limited
4N32TVM
ON Semiconductor
CNY17F3TVM
ON Semiconductor
H11AA1TVM
ON Semiconductor
4N25300W
ON Semiconductor
4N25TM
ON Semiconductor
4N25TVM
ON Semiconductor
A1010B-1VQG80I
Microsemi Corporation
LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EPF10K200EFC672-2
Intel
EP3C16F256C7N
Intel
5SGXEA7K3F40C2N
Intel
A42MX16-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation