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Référence fabricant | CM600HU-12F |
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Numéro de pièce future | FT-CM600HU-12F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IGBTMOD™ |
CM600HU-12F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type IGBT | Trench |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600A |
Puissance - Max | 1420W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 600A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 160nF @ 10V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM600HU-12F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CM600HU-12F-FT |
VS-GB90SA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90DA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT175DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA250SA60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL015Y120H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF150Y65U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF075Y60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ENQ030L120S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GP250SA60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel