maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIH03Q12NJNC
Référence fabricant | CIH03Q12NJNC |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CIH03Q12NJNC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIH03Q |
CIH03Q12NJNC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 12nH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 160mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 16 @ 500MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 3.3GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 500MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0201 (0603 Metric) |
Taille / Dimension | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.013" (0.33mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q12NJNC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIH03Q12NJNC-FT |
CIG21W3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201206EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201206UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel