maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIGT201208EMR47MNE
Référence fabricant | CIGT201208EMR47MNE |
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Numéro de pièce future | FT-CIGT201208EMR47MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGT |
CIGT201208EMR47MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Thin Film |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 470nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 3.2A |
Courant - Saturation | 4A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 43 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.032" (0.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201208EMR47MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGT201208EMR47MNE-FT |
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
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5SGXEA7H3F35C2N
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5AGXMA5G4F31C4N
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