maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIGW252012GM2R2MNE
Référence fabricant | CIGW252012GM2R2MNE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CIGW252012GM2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGW |
CIGW252012GM2R2MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | - |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252012GM2R2MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGW252012GM2R2MNE-FT |
CIH05T2N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N7CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N3CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N9CNC
Samsung Electro-Mechanics
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FG484C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40I3LN
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8L
Intel
EPF81188ARC240-4AA
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel