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Référence fabricant | CIGW252012GM2R2MNE |
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Numéro de pièce future | FT-CIGW252012GM2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGW |
CIGW252012GM2R2MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | - |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252012GM2R2MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGW252012GM2R2MNE-FT |
CIH05T2N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2CNC
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CIH05T2N4CNC
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CIH05T2N4SNC
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CIH05T2N7CNC
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CIH05T3N6CNC
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CIH05T3N6SNC
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CIH05T3N9CNC
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
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AGLN060V5-VQ100I
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EP1M350F780C5
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5SGXMA5N1F45C1N
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EP4SE820H40C4N
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AX1000-FG676
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EP2AGX190EF29C5N
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EP3C40F324C8N
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