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Référence fabricant | CIGW201610GM4R7SLE |
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Numéro de pièce future | FT-CIGW201610GM4R7SLE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGW |
CIGW201610GM4R7SLE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | - |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GM4R7SLE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGW201610GM4R7SLE-FT |
CIG22H2R2MNE
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CIG22H3R3MAE
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M1AGL600V5-FG256
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