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Référence fabricant | CIG22H2R2MNE |
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Numéro de pièce future | FT-CIG22H2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIG22H |
CIG22H2R2MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | 1.8A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 116 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22H2R2MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIG22H2R2MNE-FT |
CIH05Q3N3SNC
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XC7A200T-1FBG676C
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5SGXMA9N2F45I2LN
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5SGXMA4K3F35I3LN
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XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel