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Référence fabricant | CIGT201610UH2R2MNE |
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Numéro de pièce future | FT-CIGT201610UH2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGT |
CIGT201610UH2R2MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Thin Film |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.2A |
Courant - Saturation | 2.6A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610UH2R2MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGT201610UH2R2MNE-FT |
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Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
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A42MX09-PL84I
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel