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Référence fabricant | CIG22B2R2MAE |
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Numéro de pièce future | FT-CIG22B2R2MAE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIG22B_MAE |
CIG22B2R2MAE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.1A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 190 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.032" (0.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22B2R2MAE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIG22B2R2MAE-FT |
CIH05T3N9SNC
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
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M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
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EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel