maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIGT201608LM1R0MNE
Référence fabricant | CIGT201608LM1R0MNE |
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Numéro de pièce future | FT-CIGT201608LM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGT |
CIGT201608LM1R0MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Thin Film |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.3A |
Courant - Saturation | 2.8A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 72 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.032" (0.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201608LM1R0MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGT201608LM1R0MNE-FT |
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Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
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